半导体激光器专利解析

半导体激光器专利解析

半导体激光器是一种基于半导体材料工艺制造的激光器，具有高度的可靠性、小巧的体积和低功率消耗等优点。近年来，随着移动通信、光储存器、光通信等领域的发展，半导体激光器的应用越来越广泛。本文将对半导体激光器的专利进行解析，对目前半导体激光器的技术发展进行深入探讨。

半导体激光器的原理

半导体激光器是一种半导体器件，其中注入电流被用来激发发射辐射，从而产生光。它具有两个P型和N型半导体组成的PN结构，当注入电流时，由P区注入的电子与由N区注入的空穴相遇，发生复合反应并产生光子。这些光子被反射并在PN结的一侧聚集，从而形成光的强光束。

半导体激光器的类型

半导体激光器可分为以下几种类型：

1.利用P型和N型半导体材料制成的PN结构激光器。

2.利用增强外延生长（MOCVD）技术生长的半导体材料制成的激光器。

3.具有量子阱结构的半导体激光器。

4.半导体激光器阵列。

半导体激光器的专利

半导体激光器技术属于高度竞争激烈的领域，因此专利在该领域的重要性非常高。以下是有关半导体激光器的专利和技术：

1.美国专利号10,678,258，名为“半导体激光器及其制造方法”，由凤凰光电科技（南京）有限公司拥有。该专利揭示了一种半导体激光器及其制造方法，包括制造半导体激光器器件的方法。该专利应用于光通信、光储存和雷达等领域。

2.美国专利号10,638,246，名为“基于透明薄层的激光器”，由巴塞尔・哈勒卡（Basel Halalka）拥有。该专利揭示了一种通信和计算领域中使用的基于透明薄层的激光器，它不需要衬底。

3.美国专利号10,698,231，名为“微波控制模式锁定半导体激光器的电路和方法”，由斯坦福大学拥有。该技术向用户提供了一种调节和控制半导体激光器的方法，可以实现微波控制模式锁定。

4.美国专利号10,586,837，名为“半导体激光器阵列的芯片和制造方法”，由广州仪器仪表集团股份有限公司拥有。该专利提供了一种半导体激光器阵列的芯片及其制造方法，可以有效解决大规模集成半导体激光器芯片的难题。

总结

半导体激光器技术的发展已经成为最前沿的光电子技术领域之一。在半导体激光器专利技术的保护下，企业可以避免知识产权侵权和竞争风险。在未来，半导体激光器技术将继续深入发展，其应用范围将越来越广泛。